Bienvenue sur le site du groupe NAM6

Le groupe Micro et Nano Systèmes (NAM6) développe une expertise de renommée internationale depuis de nombreuses années, principalement dans le domaine du micro-actionnement, des micro-capteurs, des dispositifs résonants et des principes de transduction. L’objectif principal du groupe NAM6 est de relever des défis pour établie un nouvel état​​ de l’art dans le domaine des micro-et nano- systèmes électromécaniques (MEMS et NEMS) en poursuivant une stratégie en trois volets:

  1. bénéficier de la synergie entre les compétences et savoir-faires des membres du groupe et l’environnement de l’IEMN en physique appliquée, composants électroniques, instrumentation scientifique, modélisation, procédés technologiques, micro-nano-fabrication, et caractérisation électrique;
  2. définir les orientations et les objectifs de la recherche en s’appuyant sur un équilibre pragmatique entre des considérations technologiques et scientifiques et des enjeux applicatifs;
  3. aborder les thèmes de recherche allant de la compréhension fondamentale et la modélisation physique, à la fabrication et l’évaluation des dispositifs, et à l’intégration système et le transfert technologique potentiel.

En s’appuyant sur les moyens technologies des salles blanches de l’IEMN, les micro-et nano-technologies de fabrication et d’usinage ont été  utilisées pour explorer et convertir les effets physiques et les propriétés des matériaux dans des dispositifs et des microsystèmes pour des applications. Les activités de recherche concernent:

  1. la piézorésistance géante dans le silicium et ses nanostructures,
  2. les composants MEMS à base de nitrure de gallium,
  3. les résonateurs MEMS pour application aux capteurs de force en AFM haute fréquence,
  4. l’instrumentation pour la nanocaractérisation.
Figure: (a) A 4 terminal aluminium-silicon hybrid structure fabricated at IEMN which displays giant piezoresistance. Scale bar = 20 µm. (b) A top-down silicon nanowire fabricated at IEMN used for giant piezoresistance studies. Scale bar = 2 µm. Figure: (a) Top view of the AlGaN/GaN MEMS resonator. On the right, the piezoelectric actuator uses the AlGaN layer sandwiched between a top electrode and the two-dimensional election gas. On the left the R-HEMT is fabricated on the resonant beam for motion detection. (b) Measured S21 parameter between the input and the output of the beam resonator. The black curve shows the signal obtained using the R-HEMT as an amplifier, the blue curve shows the signal obtained using the gate as a capacitive detector. The gain of 30 dB provided by the R-HEMT shows the advantage of the integration of the HEMT on the resonant beam. Figure: (a) SEM image of a MEMS AFM sensor based on a silicon ring resonator. Vibration is driven and sensed by integrated capacitive transducers featuring sub-100 nm airgaps. A silicon nanotip (apex radius below 10 nm) is located at a maximum of the elliptic vibration mode. (b) and (c): AFM topographic images of DNA origamis acquired by a 10.9 MHz MEMS AFM sensor. AFM tip vibration amplitude is 0.2 nm. Figure: Block diagram of the experimental set-up used to measure MEMS resonator vibration with the microwave reflectometry technique.